A Samsung Electronics három új típusú NAND tároló fejlesztésébe kezdett, amelyeket kifejezetten mesterséges intelligencia alapú alkalmazásokhoz optimalizálnak. A dél-koreai Zdnet beszámolója szerint a vállalat már hivatalosan is bejelentette a zNAND-O variánst.
A zNAND-O memóriát lokális AI-feladatokra tervezték, ahol a chipeket négy vagy nyolc rétegben, speciális átmenő szilíciumcsatlakozásokkal (TSV) kapcsolják össze. A másik két, még nem megerősített típus a nagy teljesítményű adat központokat és az AI-következtetést célozza.
Míg a Samsung a High Bandwidth Flash technológiára és a magas I/O műveleti sebességre fókuszál az új egységeknél, a piaci verseny fokozódik, mivel a rivális SK Hynix szintén három speciális NAND típus fejlesztésén dolgozik az AI-szektor kiszolgálása érdekében.