A bemutatta legújabb terméktervét, amely a DRAM, HBM és NAND technológiák jövőjét vázolja fel. A vállalat bejelentette a DDR6 memóriát, amely a DDR5 sávszélességének dupláját kínálja, míg az LPDDR6 modulok 35 százalékkal jobb energiahatékonyságot biztosítanak. Mindkét megoldás az új, 1-Delta DRAM node-ra épül, amely az Egyesült Államokban készül.
A technológiai fejlődés részeként a Micron 3D DRAM megoldásokon és HBM6 technológián is dolgozik, a vHBM pedig közvetlenül a számítási lapkára kerül. A G11 NAND memória több mint 400 réteggel érkezik 2027 második felében, kétszeres adatsűrűséget és 1,5-szeres IO sebességnövekedést ígérve a G9-hez képest. A cég a is együttműködik az LPDDR6 bevezetésén.
A fejlesztések jelentőségét mutatja, hogy 2026-ra 400-szor több bit jut egy DRAM ostyára, mint 1995-ben. Az 1-Delta technológia 20 százalék feletti sűrűségjavulást hoz a 1y-hoz képest, fejlett HKMG CMOS alkalmazásával. A jövőben a Wafer Bonding és a High-NA EUV eljárások is szerepet kapnak, miközben az első vEIM generáció már 2 TB/s sávszélességet céloz meg.