A frissítette technológiai ütemtervét, amelyből kikerültek a 4F2 memóriacellák, helyettük a 1ε DRAM folyamatnál bevezetik a szeletkötési eljárást. Scott DeBoer technológiai igazgató bejelentette, hogy a 1δ DRAM gyártása 2027 második felében indul el.
A 1δ eljárás 20 százalék feletti bit sűrűség növekedést ígér, és alapját képezi a HBM5, vHBM és vEIM termékeknek. A vállalat a ζÅ csomópontnál veti be először a High-NA EUV litográfiát, míg a második generációs ηÅ node esetében már új anyagokat is használnak.
A processzorokra integrált vHBM és vEIM memóriák hibrid kötési technológiát és speciális hőelvezető szerkezeteket alkalmaznak. Az Albany NanoTech-kel közösen fejlesztett megoldások célja a 2 TB/s sávszélesség elérése rendkívül alacsony energiafogyasztás mellett.