A Samsung Electronics 12 rétegű HBM4E memóriája sikeresen teljesítette az NVIDIA minősítési tesztjeit, valamint több nagy hiperskálázó partner vizsgálatain is átment. A Hankyung jelentése szerint a 12-Hi HBM4E tesztelési folyamata szeptember végén zárult le.
A 48 GB kapacitású chipek 14 Gbps sebességgel működnek, ami 16 Gbps-ig skálázható, így 3,6 TB/s sávszélességet biztosítanak. A technológia a Samsung 1c DRAM egységeit ötvözi a saját gyártású 4 nm-es logikai alaplapkával, 20%-os teljesítménynövekedést ígérve.
Bár a Samsung hivatalosan még nem erősítette meg a tesztek befejezését, a vállalat már májusban megkezdte a minták szállítását. Az új HBM4E memória az NVIDIA Vera Rubin platformjához készült, követve a 2026 elején megkezdett HBM4 chipek tömegtermelését.