A TSMC hivatalosan bejelentette, hogy 2030-ban tervezi megkezdeni a High-NA EUV litográfia alkalmazását a tömegtermelésben. A vállalat kezdetben hagyományos, 6x6 hüvelykes fotomaszkokat használ majd a 400 millió dollár értékű berendezésekkel végzett gyártáshoz.
A technológiai váltás során a TSMC 2031-ben indít kísérleti sort a 6x12 hüvelykes maszkokkal, a teljes körű bevezetést pedig 2033-ra irányozták elő. Az ASML-lel közösen fejlesztett új maszkformátumot az Intel és a Samsung is támogatja a hatékonyság növelése érdekében.
A High-NA rendszerek 8 nanométeres felbontást tesznek lehetővé, szemben a jelenlegi 13 nanométerrel. Bár a 2029-es A12 és A13 chipek még a hagyományos EUV eljárással készülnek, az új technológia kulcsfontosságú lesz a jövőbeli félvezetőgyártási sűrűség növeléséhez.